Snapdragon 800 -sarja on Qualcommin Snapdragon-sarjan järjestelmämikropiireistä kallein ja tehokkain sarja. Snapdragon 800 -sarjan järjestelmäpiirit ovat suurimmaksi osaksi 64-bittisiä.

Tuotteet Snapdragon 800 MalliTuotanto- prosessiCPUGPUDSPMuistiteknologiaKäskykantaTyyppiYtimiäKellotaajuusTyyppiKellotaajuusTyyppiKellotaajuusTyyppiKaistanleveys8074-AA28 nm HPmARMv7Krait 40042,26 GHzAdreno 330450 MHzHexagon QDSP6 V5600 MHzLPDDR3800 MHz

(12,8 GB/s)8274-AA28 nm HPmARMv7Krait 40042,26 GHzAdreno 330450 MHzHexagon QDSP6 V5600 MHzLPDDR3800 MHz

(12,8 GB/s)8674-AA28 nm HPmARMv7Krait 40042,26 GHzAdreno 330450 MHzHexagon QDSP6 V5600 MHzLPDDR3800 MHz

(12,8 GB/s)8974-AA28 nm HPmARMv7Krait 40042,26 GHzAdreno 330450 MHzHexagon QDSP6 V5600 MHzLPDDR3800 MHz

(12,8 GB/s)8274-AB28 nm HPmARMv7Krait 40042,36 GHzAdreno 330578 MHzHexagon QDSP6 V5600 MHzLPDDR3933 MHz

(14,9 GB/s)

Snapdragon 801 MalliTuotanto- prosessiCPUGPUDSPMuistiteknologiaKäskykantaTyyppiYtimiäKellotaajuusTyyppiKellotaajuusTyyppiKellotaajuusTyyppiKaistanleveys8074-AB28 nm HPmARMv7Krait 40042,36 GHzAdreno 330578 MHzHexagon QDSP6 V5600 MHzLPDDR3933 MHz

(14,9 GB/s)8674-AB28 nm HPmARMv7Krait 40042,36 GHzAdreno 330578 MHzHexagon QDSP6 V5600 MHzLPDDR3933 MHz

(14,9 GB/s)8974-AB28 nm HPmARMv7Krait 40042,36 GHzAdreno 330578 MHzHexagon QDSP6 V5600 MHzLPDDR3933 MHz

(14,9 GB/s)8274-AC28 nm HPmARMv7Krait 40042,45 GHzAdreno 330578 MHzHexagon QDSP6 V5600 MHzLPDDR3933 MHz

(14,9 GB/s)8974-AC28 nm HPmARMv7Krait 40042,45 GHzAdreno 330578 MHzHexagon QDSP6 V5600 MHzLPDDR3933 MHz

(14,9 GB/s)

Snapdragon 805 MalliTuotanto- prosessiCPUGPUDSPMuistiteknologiaKäskykantaTyyppiYtimiäKellotaajuusTyyppiKellotaajuusTyyppiKellotaajuusTyyppiKaistanleveysAPQ808428 nm HPmARMv7-AKrait 45042,7 GHzAdreno 420600 MHzHexagon V50800 MHzLPDDR3800 MHz

(25,6 GBps)

Snapdragon 808 MalliTuotanto- prosessiCPUGPUDSPMuistiteknologiaKäskykantaTyyppiYtimiäKellotaajuusTyyppiKellotaajuusTyyppiKellotaajuusTyyppiKaistanleveysMSM899220 nm HPmARMv8-ACortex-A57

Cortex-A532 + 41,82 GHz + 1,44 GHzAdreno 418600 MHzHexagon V56800 MHzLPDDR3933 MHz

(14,9 GB/s)

Snapdragon 810 MalliTuotanto- prosessiCPUGPUDSPMuistiteknologiaKäskykantaTyyppiYtimiäKellotaajuusTyyppiKellotaajuusTyyppiKellotaajuusTyyppiKaistanleveysMSM899420 nm HPmARMv8-ACortex-A57

Cortex-A534 + 42,0 GHz + 1,55 GHzAdreno 430650 MHzHexagon V56800 MHzLPDDR41 600 MHz

(25,6 GB/s)

Snapdragon 815 Snapdragon 810:n seuraajan huhuttiin olevan viivaleveydeltään 16 nanometrin Snapdragon 815. Sen oletettiin käyttävän Cortex A72 -ytimiä. Snapdragon 815:a ei kuitenkaan koskaan julkaistu.

Snapdragon 820 MalliTuotanto- prosessiCPUGPUDSPMuistiteknologiaKäskykantaTyyppiYtimiäKellotaajuusTyyppiKellotaajuusTyyppiKellotaajuusTyyppiKaistanleveysMSM8996 Lite14 nm Samsung FinFET LPPARMv8-AKryo2 + 21,8 GHz +

1,36 GHzAdreno 530510 MHz

(407,4 GFLOPS)Hexagon 6801 GHzLPDDR41 333 MHz (21,3 GB/s)MSM899614 nm Samsung FinFET LPPARMv8-AKryo2 + 22,15 GHz +

1,6 GHzAdreno 530624 MHz

(498,5 GFLOPS)Hexagon 6801 GHzLPDDR41 866 MHz (29,8 GB/s)

Snapdragon 821 Snapdragon 821:n viivaleveys on 14 nanometriä. MalliTuotanto- prosessiCPUGPUDSPMuistiteknologiaKäskykantaTyyppiYtimiäKellotaajuusTyyppiKellotaajuusTyyppiKellotaajuusTyyppiKaistanleveysMSM8996 Pro-AB14 nm Samsung FinFET LPPARMv8-AKryo2 + 22,15 GHz +

1,6 GHzAdreno 530624 MHz

(498,5 GFLOPS)Hexagon 6801 GHzLPDDR41 866 MHz (29,8 GB/s)MSM8996 Pro14 nm Samsung FinFET LPPARMv8-AKryo2 + 22,35 GHz +

1,6 GHzAdreno 530653 MHz

(519,2 GFLOPS)Hexagon 6801 GHzLPDDR41 866 MHz (29,8 GB/s)

Snapdragon 835 Qualcomm julkaisi Snapdragon 835:n tarkat tiedot CES-messuilla vuoden 2017 tammikuussa. Sen viivaleveys on 10 nanometriä. MalliTuotanto- prosessiCPUGPUDSPMuistiteknologiaKäskykantaTyyppiYtimiäKellotaajuusTyyppiKellotaajuusTyyppiKellotaajuusTyyppiKaistanleveysMSM899810 nm Samsung FinFETARMv8-AKryo 2804 + 42,45 GHz +

1,9 GHzAdreno 540Hexagon 682LPDDR4X1 866 MHz

(29,8 GB/s)

Snapdragon 845 Qualcomm julkaisi Snapdragon 845:n 6. joulukuuta 2017. Sen viivaleveys on 10 nanometriä.

MalliTuotanto- prosessiCPUGPUDSPMuistiteknologiaKäskykantaTyyppiYtimiäKellotaajuusTyyppiKellotaajuusTyyppiKellotaajuusTyyppiKaistanleveysSDM84510 nm Samsung FinFETARMv8-AKryo 3854 + 42,8 GHz +

1,8 GHzAdreno 630710 MHzHexagon 685LPDDR4X1 866 MHz

(29.9 GB/s)

Snapdragon 855 ja 855+ Qualcomm julkaisi Snapdragon 855:n 6. joulukuuta 2018 ja Snapdragon 855+:n 15. heinäkuuta 2019. Molempien viivaleveys on 7 nanometriä.

MalliTuotanto- prosessiCPUGPUDSPMuistiteknologiaKäskykantaTyyppiYtimiäKellotaajuusTyyppiKellotaajuusTyyppiKellotaajuusTyyppiKaistanleveysSM81507 nmARMv8-AKryo 4851 + 3 + 42,84 GHz + 2,42 GHz

+ 1,8 GHzAdreno 640585 MHzHexagon 690LPDDR4X2 133 MHz

(34,1 GB/s)SM8150-AC2,96 GHz + 2,42 GHz

+ 1,8 GHz675 MHz

Snapdragon 865 ja 865+ Qualcomm julkaisi Snapdragon 865:n 4. joulukuuta 2019 ja Snapdragon 865+:n 8. heinäkuuta 2020. Molempien viivaleveys on 7 nanometriä.

MalliTuotanto- prosessiCPUGPUDSPMuistiteknologiaKäskykantaTyyppiYtimiäKellotaajuusTyyppiKellotaajuusTyyppiKellotaajuusTyyppiKaistanleveysSM82507 nmARMv8-AKryo 5851 + 3 + 42,84 GHz + 2,42 GHz

+ 1,8 GHzAdreno 650587 MHzHexagon 698LPDDR52 750 MHz

(34,1 GB/s)SM8250-AB3,1 GHz + 2,42 GHz

+ 1,8 GHz645 MHz

Snapdragon 870 Qualcomm julkaisi Snapdragon 870:n 19. tammikuuta 2021. Sen viivaleveys on 7 nanometriä.

MalliTuotanto- prosessiCPUGPUDSPMuistiteknologiaKäskykantaTyyppiYtimiäKellotaajuusTyyppiKellotaajuusTyyppiKellotaajuusTyyppiKaistanleveysSM8250-AC7 nmARMv8-AKryo 5851 + 3 + 43,2 GHz + 2,42 GHz

+ 1,8 GHzAdreno 650675 MHzHexagon 698LPDDR52 750 MHz

(44 GB/s)

Snapdragon 888 ja 888+ Qualcomm julkaisi Snapdragon 888:n 1. joulukuuta 2020 ja Snapdragon 888+:n 28. kesäkuuta 2021. Molempien viivaleveys on 5 nanometriä.

MalliTuotanto- prosessiCPUGPUDSPMuistiteknologiaKäskykantaTyyppiYtimiäKellotaajuusTyyppiKellotaajuusTyyppiKellotaajuusTyyppiKaistanleveysSM83505 nmARMv8-AKryo 6801 + 3 + 42,84 GHz + 2,42 GHz

+ 1,8 GHzAdreno 660840 MHzHexagon 780LPDDR53 200 MHz

(51,2 GB/s)SM8350-AC3,0 GHz + 2,42 GHz

+ 1,8 GHz

Snapdragon 8 Gen 1 ja 8+ Gen 1 Qualcomm julkisti 8 Gen 1:n 1. joulukuuta 2021 ja 8+ Gen 1:n 20. toukokuuta 2022. Molempien viivaleveys on 5 nanometriä.

MalliTuotanto- prosessiCPUGPUDSPMuistiteknologiaKäskykantaTyyppiYtimiäKellotaajuusTyyppiKellotaajuusTyyppiKellotaajuusTyyppiKaistanleveysSM84505 nmARMv9-AKryo 6801 + 3 + 43,0 GHz + 2,5 GHz+ 1,8 GHzAdreno 730 840 MHzLPDDR53 200 MHz(51,2 GB/s)SM84753,2 GHz + 2,75 GHz+ 2,0 GHz 700 MHz

Lähteet

en:List of Qualcomm Snapdragon systems-on-chip#Snapdragon 800 series Luokka:Qualcomm Luokka:Suorittimet